俄勒冈州希尔斯波罗市－2005年2月28日 －莱迪思半导体公司（NASDAQ：LSCC）今天宣布推出其全新的LatticeXP?器件。LatticeXP能实现瞬时上电和单芯片应用，还具备出色的安全性。LatticeXP提供了一种用于替代基于SRAM的FPGA和与之相关的引导存储器的低成本选择方案。由于新的LatticeXP器件采用了先进的130纳米闪存硅处理工艺、优化的器件结构和专有的电路设计，其芯片尺寸比莱迪思过去的非易失FPGA降低了80%以上。

"莱迪思于2003年第一次批量推出非易失的FPGA，获得了客户的肯定评价，" 莱迪思公司董事长兼首席执行官Cyrus Tsui说，"但客户也告诉我们，他们希望非易失FPGA的价格能与基于SRAM的FPGA外加与之相连的引导PROM相当，从而更广泛地使用这种新的"极限"FPGA技术。 越来越多的用户青睐非易失的解决方案，新一代的LatticeXP终于使非易失成为他们能够负担得起的性能。FPGA市场的巨头还没有去理会客户在这方面的需要，这对莱迪思而言是个巨大的机遇。"

LatticeXP 器件是由节省成本的低介电系数（low-k）、130纳米CMOS闪存处理工艺 实现的，采用了镀铜法。该工艺由富士通有限公司和莱迪思半导体公司共同研发。晶片在富士通公司最先进的晶片制造厂生产。LatticeXP器件支持1.2、1.8、2.5和3.3伏的供电电压。



基于SRAM的存储单元控制器件逻辑的操作，这些单元在上电后1毫秒内由芯片上的闪存载入，提供瞬时上电的性能，或通过用户命令引导。器件也可以经由一个微处理器接口配置，即sysCONFIG?接口或JTAG接口。 与传统的基于SRAM的FPGA不同，LatticeXP器件不需要外接引导存储器，所以能提供单芯片的解决方案，从而减少了电路板面积，并简化了系统制造过程。由于没有外接的引导器件，启动时无需外部编程信号流（bit-stream），而窥探外部编程信号流正是SRAM FPGA的主要安全隐患。LatticeXP还禁止从器件的SRAM和闪存部分回读编程信号流，进一步提高了器件的安全性。



LatticeXP器件有5种密度可供选择，密度范围从3K至20K个LUT。器件的I/O数目从62至340不等，封装形式有低成本的塑料四方扁平封装（PQFP）、薄四方扁平封装（TQFP）和1毫米微间距球栅阵列（fpBGA）封装。

获取与价格

• 第一批10K LUT的 LatticeXP10器件样品现已上市，其余器件将在今年上半年推出。
• 这批器件拥有最多216Kb的嵌入式块RAM以及188个（256 fpBGA）或244个（388 fpBGA）通用I/O引脚。
• 1000片批量、256 fpBGA封装的XP10单价为32.95美元，可立即发货。预计2006年25万片以上批量的单价将低于15 美元。